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Cientistas norte-americanos criam transístor mais rápido do mundo
Cientistas da Universidade do Illinois, nos Estados Unidos, anunciaram o desenvolvimento de um transístor que atinge uma frequência de 845 Gigahertz [:0]
[:I].
O componente foi apresentado a cientistas norte-americanos esta semana, durante a International Electronics Device, que decorre em São Francisco. De acordo com seus criadores, o transístor é 50% mais veloz que outros modelos de teste existentes no mundo e aproxima a comunidade científica da meta de criar o primeiro transístor com velocidade de um terahertz.
Transístores mais rápidos permitem projectar computadores mais velozes e desenvolver redes sem fios mais seguras, além de abrir muitas possibilidades para a indústria criar produtos electrónicos mais eficazes que os actualmente conhecidos, afirmou o grupo responsável pela pesquisa.
O transístor de 845 Gigahertz é feito de uma composição metálica mais refinada, à base de fosfato de índio e de arseniato de gálio. Transístores convencionais são fabricados a partir de misturas de silício e germânio.
O transístor também usa componentes de dimensões mais reduzidas. A base do transístor tem apenas 12,5 nanómetros de espessura, diz a Universidade Illinois.
http://exameinformatica.clix.pt/noticias/futurologia/214406.html
Cientistas da Universidade do Illinois, nos Estados Unidos, anunciaram o desenvolvimento de um transístor que atinge uma frequência de 845 Gigahertz [:0]
[:I]. O componente foi apresentado a cientistas norte-americanos esta semana, durante a International Electronics Device, que decorre em São Francisco. De acordo com seus criadores, o transístor é 50% mais veloz que outros modelos de teste existentes no mundo e aproxima a comunidade científica da meta de criar o primeiro transístor com velocidade de um terahertz.
Transístores mais rápidos permitem projectar computadores mais velozes e desenvolver redes sem fios mais seguras, além de abrir muitas possibilidades para a indústria criar produtos electrónicos mais eficazes que os actualmente conhecidos, afirmou o grupo responsável pela pesquisa.
O transístor de 845 Gigahertz é feito de uma composição metálica mais refinada, à base de fosfato de índio e de arseniato de gálio. Transístores convencionais são fabricados a partir de misturas de silício e germânio.
O transístor também usa componentes de dimensões mais reduzidas. A base do transístor tem apenas 12,5 nanómetros de espessura, diz a Universidade Illinois.
http://exameinformatica.clix.pt/noticias/futurologia/214406.html
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